晶体硅太阳能电池涂层技术的发展
时间:
2023-07-31 09:54
晶体硅电池技术的发展方向包括PERT技术和Topcon技术，被视为传统扩散法电池技术的延伸。它们的共同特点是在电池的背面有一层钝化层，并且都使用一层掺杂的多晶硅作为背场。钝化层多采用高温氧化层，掺杂多晶硅层采用LPCVD、PECVD等方法。管状PECVD和扁平PECVD已用于PERC电池的大规模生产。
管式PECVD生产能力大，一般采用几十千赫的低频电源。离子轰击和涂覆问题可能会影响钝化层的质量。平坦的PECVD没有涂层问题，并且在涂层性能方面具有显着优势，可用于沉积掺杂的Si，SiO和SiC薄膜。缺点是沉积的薄膜中含有大量的氢，这很容易在薄膜层中引起气泡并限制涂层厚度。LPCVD镀膜技术采用管式炉镀膜时
具有较大的生产能力，它可以
可能发生较厚的多晶硅膜的沉积，但也可能存在缠绕。在LPCVD工艺之后，必须在不损坏下面的层的情况下除去涂层。量产的Topcon电池实现了23% 的平均转换效率。
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